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电子元器件详细资料 » IC[28102] » SI7218DN-T1-GE3
型号:SI7218DN-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? 1212-8 双描述:MOSFET DUAL N-CH D-S 30V 1212-8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET DUAL N-CH D-S 30V 1212-8
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C24A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs17nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds700pF @ 15V
功率_最大23W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? 1212-8 双
供应商设备封装PowerPAK? 1212-8 Dual
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
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SI7218DN-T1-GE3相关型号

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